Бахрушин Владимир Евгеньевич (1960, Владикавказ) — доктор физико-математических наук (1999), профессор (2004), академик общественной организации «Академия наук высшей школы Украины» (2009), академик общественной организации «Российская академия естествознания» (2010), профессор кафедры системного анализа и программной инженерии Классического приватного университета (г. Запорожье), заместитель главного редактора научного журнала «Сложные системы и процессы», член редакционного совета журнала «Экономика и предпринимательство».
Владимир Евгеньевич Бахрушин является автором 3 монографий, 8 учебников и учебных пособий, 10 изобретений, более 150 статей в ведущих научных изданиях. В 2007 г. он награждён Почетным знаком Министерства образования и науки Украины «За научные достижения». В. Е. Бахрушин ведет активную научно-организационную работу, являясь членом редколлегий 3 научных журналов, членом программных и организационных комитетов, а также приглашенным докладчиком ряда международных и всеукраинских научных конференций. Также является членом Научно-методического совета Министерства образования и науки Украины .
Биография
В 1983 г. закончил Московский институт стали и сплавов, а в 1986 г. — аспирантуру МИСиС. В 1988 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Взаимодействие и диффузия примесей внедрения в сплавах на основе ниобия». В 1980—1986 г. на кафедре высокотемпературных материалов Московского института стали и сплавов исследовал влияние комплексного легирования и высокотемпературных обработок на внутреннее трение, динамические модули упругости и другие физические свойства сплавов внедрения на основе ниобия. В частности, В.Е Бахрушиным были определены закономерности распределения кислорода и азота в сплавах, быстроохлажденных от предплавильных температур, построена модель диффузии примесей внедрения в сплавах. Также были определены характер и механизм влияния легирующих элементов на кинетику взаимодействия азота со сплавами ниобия при высоких температурах.
В 1987 1990 г. работал инженером Центральной научно-исследовательской лаборатории полупроводников Запорожского титано-магниевого комбината. В этот период В. Е. Бахрушиным был разработан ряд новых типов кремниевых эпитаксиальных структур (в том числе многослойных и структур с переменным уровнем легирования эпитаксиального слоя) и технологий их получения. Было показано, что механизм автолегирования слаболегированных автоэпитаксиальных слоев кремния, получаемых методами водородного восстановления тетрахлорида кримния, трихлорсилана и дихлорсилана, включает сублимацию соединений легирующего элемента из подложки с последующим их встраиванием в растущий слой; установлено формирование донорных центров при высокотемпературных отжигах слаболегированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев кремния в водороде и определены закономерности кинетики их накопления.
В 1990—2000 г. работал на физическом факультете Запорожского государственного университета.
Здесь В.Е Бахрушин разработал и читал курсы компьютерного моделирования физических процессов, механики, методов физических исследований, физических основ материаловедения и др. Основные исследования В.Е Бахрушина в этот период были связаны с компьютерным моделированием процессов формирования и физических свойств слаболегированных кристаллов. В. Е. Бахрушиным было введено понятие области идеальности твердого раствора. Такая концентрационная область ограничена слева вследствие взаимодействия атомов легирующего элемента с фоновыми примесями и дефектами, а справа — вследствие их взаимодействия между собой. Определены условия формирования таких областей, а также условия, при которых твердый раствор является неидеальным при любых концентрациях. Были установлены основные закономерности формирования прослоек с проводимостью противоположного типа в переходной области n±n и p±p кремниевых и германиевых композиций, обусловленные присутствием фоновых примесей противоположного типа в объёме или на поверхности сильнолегированного слоя. Показано, что ступеньки сдвига и линии скольжения в кремниевых эпитаксиальных структурах могут быть не тождественными дефектами. Их формирование происходит на начальной стадии осаждения эпитаксиального слоя и включает не только процессы зарождения и скольжения, но также и процессы аннигиляции дислокаций. Предложена кристаллографическая классификация этих дефектов, основанная на их различной ориентации относительно поверхности подложки. Установлены закономерности влияния параметров процесса на эффективность геттерирования быстродиффундирующих примесей в полупроводниковых композициях. В частности, показано существование оптимальной температуры этого процесса. При понижении температуры эффективность геттерирования снижается из-за уменьшения эффективной толщины геттерирующего слоя, а при повышении — вследствие стремления примеси к более равномерному распределению по всему объёму композиции. В 1999 г. В.Е Бахрушин защитил в Харьковском университете докторскую диссертацию на тему «Формирование примесно-дефектной подсистемы и физические свойства слаболегированных монокристаллов и монокристаллических слоев многослойных композиций».
