Владимир Максимович Тучкевич (1904 — 1997) — советский физик.
Биография
Родился 16 (29 декабря) 1904 года в селе Яновцы (Яноуцы) (ныне — село Ивановцы, Хотинский район, Черновицкая область, Украина). Учился в реальном училище, затем в школе в городе Уфе.
В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.
В том же году поступил на физико-математический факультет КГУ имени Т. Г. Шевченко. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931— 1935 годах работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.
С 1935 года жил и работал в городе Ленинграде — сначала в Рентгеновском, а затем в Физико-техническом институтах. Был научным сотрудником, старшим научным сотрудником, ученым секретарём и заведующим лабораторией. В этом же году продолжил преподавательскую деятельность в ЛПи имени М. И. Калинина, сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы Тучкевича были связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.
В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях. Сотрудничал с И. В. Курчатовым, Б. Е. Годзевичем и с другими знаменитыми учёными.
В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжелых элементов. С 1949 года работал в Физико-техническом институте АН СССР, возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.
В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В лаборатории Тучкевича младшим научным сотрудником работал будущий лауреат Нобелевской премии по физике — Жорес Алфёров. В 1952 году вступил в КПСС. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.
В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году Тучкевич стал действительным членом АН СССР. В 1967 — 1986 годах был директором ФТИАН имени А. Ф. Иоффе АН СССР.
Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьем, используемых в производстве черных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в ЛПИ имени М. И. Калинина кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.
С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научные работы Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые. Автор более 150 научных работ и 18 авторских изобретений.
Неоднократно избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970—1976 годы), членом Ленинградского горкома КПСС (1968—1970 и 1976—1980 годы).
