Андрей Петрович Гагарин (9 июля 1934, Ленинград — 30 января 2011, Вашингтон, США) — специалист в области квантовой электроники и физической оптики, профессор (1997), доктор физико-математических наук (1999).
Председатель правления Санкт-Петербургского губернского Дворянского Собрания (1994—2011). По происхождению князь из рода Гагариных, Рюрикович.
Биография
Андрей Петрович Гагарин родился 9 июля 1934 года в Ленинграде. Его отец, Пётр Андреевич Гагарин, — младший сын Андрея Григорьевича Гагарина, первого директора Петербургского политехнического института, — работал старшим проектировщиком института Гипрошахт. В 1937 году Пётр Андреевич был арестован, осуждён по 58-й статье и в начале 1938 года расстрелян. Впоследствии, в 1965 году, реабилитирован.
Мать — Варвара Васильевна, урождённая Шешина, доктор филологических наук, профессор филологического факультета СПбГУ. Вследствие ареста мужа три года находилась в ссылке. После войны вышла замуж за кораблестроителя В. М. Бурлакова, который в 1946 году усыновил Андрея, что привело к изменению его фамилии и отчества. Фамилию отчима Андрей носил до 1972 года.
В 1952 году Андрей окончил школу и поступил в Ленинградский институт точной механики и оптики (ЛИТМО), но вскоре перевёлся на физический факультет Ленинградского государственного университета (ЛГУ), обучение в котором завершил в 1958 году. В 1954 году в качестве студента-практиканта начал работать в Государственном оптическом институте им. С. И. Вавилова (ГОИ). С начала 1970-х в течение длительного времени являлся сотрудником подразделения ГОИ, расположенного в г. Сосновый Бор. С 1977 по 1989 год был начальником лаборатории силовой оптики. В 1994 году, не прекращая деятельности в ГОИ, стал работать в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете (СПбГПУ) сначала в качестве доцента, а затем профессора.
В 1972 году, после реабилитации отца, добился возвращения себе своих родовых фамилии и отчества.
А. П. Гагарин был трижды женат. В браке с Татьяной Валентиновной, урождённой Яковлевой, состоял с 1961 года в течение 47 лет вплоть до её кончины в 2008 году.
Отец троих детей — двух дочерей и сына.
Похоронен на Богословском кладбище Санкт-Петербурга.
Научная работа
Основным направлением научной работы А. П. Гагарина было исследование взаимодействия мощного лазерного излучения с конденсированными средами. В начале 70-х годов под его руководством была создана лазерная установка с уникальными для своего времени параметрами и измерительный комплекс для неё. Использование вновь полученных экспериментальных возможностей позволило А. П. Гагарину провести широкий комплекс работ по исследованию явлений, возникающих при крупномасштабном воздействии лазерного излучения на металлы и оптические стёкла, и получить ряд новых результатов. В частности, им обнаружены и изучены эффект избирательного окисления металлов под действием лазерного излучения и парофазный механизм образования окисных пленок при окислении некоторых металлов в результате их нагрева моноимпульсным лазерным излучением в атмосфере. Им исследованы динамика начальных стадий и механизмы развития поверхностного оптического пробоя стёкол лазерным излучением.
Он был одним из создателей нового направления силовой оптики — нерезонансной светотермохимии. Заложил основы исследований функционального поражения оптической аппаратуры, вызываемого воздействием на неё лазерного излучения. Кроме того, он занимался исследованиями в области электролюминесценции и нелинейной оптики.
В 1968 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, в 1999 году стал доктором физико-математических наук наук.
А. П. Гагарин опубликовал более 120 научных работ, он являлся автором 7 изобретений, им написан ряд статей, опубликованных в Большой советской энциклопедии и в Физической энциклопедии.
