Абдуллаев, Гасан Мамедбагир оглы: биография
Докторскую диссертацию на тему «Исследование физических процессов, происходящих в селеновых выпрямителях», Г. Б. Абдуллаев защитил в Ленинграде, Физико-техническом институте АН СССР в 1954 году под руководством профессора Д. Н. Наследова и председательством академика А. Ф. Иоффе, бывшим учеником немецкого физика, проф. Рентгена.
В 1954 году в Азербайджанском государственном университете (ныне БГУ) д, ф-м.наук Гасан Абдуллаев основал первую в Азербайджане кафедру физики полупроводников, которая была одной из первых в Советском Союзе, где воспитал многочисленных учеников.
С сентября 1954 г. по апрель 1957 г. — заместитель директора института физики и математики Академии наук Азербайджанской ССР, а с апреля 1957 г. по сентябрь 1993 г. — бессменный директор созданного им на основе собственного научного «селенового» направления, Института физики АН Азербайджанской ССР, благодаря успешным, инновационным исследованиям и руководству Абдуллаева, ставшему ведущим в Советском Союзе и утверждённому головной организацией в СССР в соответствие с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР. Благодаря личной инициативе академика Абдуллаева, на базе Института физики АН Азербайджанской ССР создан целый ряд, в дальнейшем, самостоятельных научных и научно-производственных организаций: Сектор радиационных исследований (ныне Институт Радиационных исследований), научный центр «Каспий», ставший первым в мире Институтом космических исследований природных ресурсов Земли из космоса (ныне Азербайджанское Аэрокосмическое Агентство), СКБ Института физики с экспериментальным производством (всего создал 12 СКБ при многих институтах АН) и более 50-ти различных НИИ институтов, производственных заводов, вузов и др. Значительная часть научных кадров, работающая в этих организациях, воспитана академиком Гасан Абдуллаевым.
В 1955 году избран член-корреспондентом, в 1967 году — действительным членом АН Аз. ССР. В 1968—1970 годах — академик-секретарь Отделения физико-технических и математических наук АН Аз. ССР.
В 1970 года избран член-корреспондентом АН СССР и АН РСФСР (РАН) Отделения общей физики и астрономии по специальности «физика».
C 1970 по 19 декабря 1983 года — Президент Академии наук Азербайджанской ССР (14 лет,-самый долговременный руководитель АН Азербайджана за всю её историю).
Награды: За доблестный труд (1970), Почетная грамота Всесоюзного общества «Знание», Золотые медали ВДНХ СССР (1972, 1975, 1977, 1978), Ветеран Труда (1983), Большая золотая медаль международной Лейпцигской весенней ярмарки ГДР (1972), Кавалер Ордена Трудового Красного Знамени. Лауреат Золотой медали имени С. И. Вавилова. В 1970 году стал лауреатом Государственной премии Азербайджанской ССР, в 1974 году получил почётное звание «Заслуженный деятель науки Аз. ССР». Кавалер Ордена Ленина 1978 года.
Депутат Совета Национальностей Верховного Совета СССР 8, 9, 10 созывов (1970—1984) от Шекинского избирательного округа Азербайджанской ССР № 223. Член Комиссии по народному образованию, науке и культуре Совета Национальностей. Член ЦК КП Азербайджана.
Академик Гасан Абдуллаев был председателем Комитета по государственным премиям Аз. ССР в области науки и техники. С 1970 года был председателем республиканского отделения Всесоюзного общества «Знание».
Кроме родного азербайджанского языка и русского языка, владел турецким, немецким и английским языками.
Женат, трое детей, и шесть внуков.
Умер 1 сентября 1993 года в возрасте 75 лет, погребён в Аллее почётного захоронения города Баку.
Научная деятельность
Академик Гасан Абдуллаев достиг значительных научных результатов в области исследования роли селена в биологических процессах, физике полупроводниковых приборов, изготовленных на основе сложных соединений селена и теллура.
Открыл новые группы двойных и тройных соединений сеена и теллура, предложил диоды с управляемой электрической памятью, получил сложные полупроводники, применяемые в качестве приемников в видимой и инфракрасной областях спектра. Впервые дал объяснение аномальным явлениям в селене и указал пути управления его свойствами. Провел большой комплекс работ по получению полупроводниковых монокристаллов сложного химического состава для лазеров и элементов памяти.
